< 세계 최초 "3진법 반도체" 신기술 구현 >
삼성전자의 지원을 받은 국내 연구팀이 전력소비량을 줄이면서 크기도 줄일 수 있는
"3진법 반도체 신기술"을 세계 최초로 구현했습니다.
17일 삼성전자에 따르면 울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀은
초절전 '3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)'를 세계 최초로
대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현하는 데 성공했다고 밝혔습니다.
이 연구 결과는 지난 15일(영국 현지시간) 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 발표했습니다.
삼성전자는 김 교수팀 연구지원을 위해 파운드리 사업부 팹(FAB)에서 미세공정으로
3진법 반도체 구현을 검증하고 있습니다.
삼성전자는 이번 연구를 2017년 9월 삼성 미래기술 육성사업 지정 테마로 선정해 지원해왔습니다.
삼성전자는 국가 미래 과학기술 연구 지원을 위해 삼성 미래기술 육성사업을 하고 있습니다.
2013년부터 10년간 1조 5000억 원을 지원하고 있으며, 지금까지 532개 과제에 6826억 원을 집행했습니다.
김 교수는 "이번 연구결과는 기존의 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해
초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했을 뿐만 아니라,
대면적으로 제작해 3진법 반도체의 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"며
"기존 2진법 시스템 위주의 반도체 공정에서 3진법 시스템으로
메모리·시스템 반도체의 공정·소자·설계 전 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도할 것"이라고 말했고
“3진법 반도체는 향후 4차 산업혁명의 핵심인 AI, 자율주행, 사물인터넷, 바이오칩, 로봇 등의
기술발전에 있어 큰 파급 효과가 있을 것”이라 하였습니다.
현재 일본의 수출규제로 인해 메모리 반도체 세계 1위인 삼성전자에게
위기가 찾아왔다고 생각했지만
오히려 탈일본화, 국내 중소기업의 성장, 대일 의존도 감소 등등
장기적으로 보았을 때
우리에게 기회라고 생각되는 호재들이 많이 숨어있습니다.
더군다나 미래 4차 산업 혁명에 대비하고 선도할 미래 핵심 기술 및 패러다임을
크게 바꿀 이번 연구 결과는 분명 삼성전자에게 엄청난 기회이며
미래 먹거리를 안정적으로 확보할 수 있는 보증서 같은 존재임에 틀림없습니다.
또한 삼성전자의 꾸준하고 미래지향적인 과감한 R&D 투자에 대한 중요성도
이번 기회를 통해 확실하게 각인되었습니다.
뿌리 산업에 대한 기초 연구의 투자를 통해 중장기적으로
미래를 선도할 수 있는 소중한 찬스를 얻었다고 생각합니다.
앞으로 삼성전자의 꾸준한 투자와 발전을 통해
대한민국의 국민 모두의 삶이 윤택해지고
대한민국이 세계 시장을 선도하는
멋진 모습을 보여주었으면 좋겠습니다.
긴 글 읽어주셔서 감사합니다.
좋은 하루 보내세요.
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